半導体プロセスの制御、観測を行うコンピュータから設定した数値及び観測データすべてをネットワーク上で集約するインターフェースハードウェアーとソフトウェアーを備えている。また分析のためのデータベースの構築、観測データの表示のための３次元高速画像表示ソフトウェアー、高速演算数式処理ソフトウェアーを有する。

ULSIプロセス実験室・評価室3294

久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

金属、半導体、絶縁物（岩石・鉱物を含む）等の試料の微小領域について、主要構成元素や微量元素の定量分析、定性分析、同位体比分析が可能である。
一次イオン源は、酸素源を基本とし、一次イオン系は酸素・アルゴンガスに対応し、静電ビーム位置調整機能、対物アパーチャセレクタ、中性粒子除去、スキャニング及び収束機能をもつイオン光学系を備えている。

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久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

生体有機無機複合プロセスにおける生体・有機・無機を繋ぐインターフェースの開発のために、清浄な単結晶あるいはアモルファス半導体基板上に形成した有機・無機複合超薄膜の評価を行うものである。
超高真空内で作製の可能なドライプロセスに加えて wetプロセスで作製した薄膜の評価を行うため、大気から試料を導入し予備排気後、メインチャンバーに移送して測定等を行うための前処理チャンバーを備えている。
測定試料例は、液相（場合によっては気相）から吸着した有機薄膜（ピリジンチオール等）である。

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久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

超薄膜の成膜・エッチング中にその膜構造及び原子種を1原子層のレベルでモニターでき、成膜中in-situ計測により成膜のイニシャルステージから成膜中の膜の構造、結晶面、吸着種のモニターができる。

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久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

培養条件下の細胞やスライドガラス上の固定・薄切した試料に存在する生体機能分子の局在状態、立体的分布パターンの観察ができる。また半導体あるいはマスクの微細構造寸法測定、３次元パターン形状観察ができる。

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久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

Ｘ線露光用半導体マスク（等倍転写とEUV縮小転写用）を作成する。本装置で実現される超平坦性とパターンによらない長自由行程粒子によるエッチングと低応力薄膜の作成は超微細加工における基盤資料を供給可能である。

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久保田 弘(衝撃・極限環境研究センター)

超高真空条件下で固体試料表面にＸ線（あるいは紫外線）を照射したときに、発生する光電子のエネルギーと強度を測定することによって表面数nmの半定量分析及び元素の原子価や化学状態を非破壊で測定できる装置である。
物質内に含まれる水素とヘリウムを除く全ての元素を被破壊で測定できる。また、表面をスパッタリングしながら測定することで固体表面内部の測定も可能である。紫外線分光装置も附属している。

分子構造解析室

鯉沼 陸央(物質生命化学科)3659